用(yòng)途
可(kě)應用(yòng)于第三代半導體(tǐ)高(gāo)功≤≠率器(qì)件(jiàn)、大(dà)功率激光(guāng)器(q₽βì)及微(wēi)電(diàn)子(zǐ)熱(rè)沉元器(qì)件(jiàn)等。
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熱(rè)導率 |
多(duō)晶 |
800～1500W/（m·K） |
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單晶 |
1500～2300W/（m·K） |
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熱(rè)膨脹系數(shù) |
10-6·K-1 |
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